收藏本站
NTUD3128N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.4
0.3
2.5 V
V GS = 3 V to 5 V
T J = 25 ° C
2.0 V
0.4
0.3
V DS ≥ 5 V
T J = -55 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.2
0.1
0
1.5 V
1.0 V
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
15
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On-Region Characteristics
2.5
V GS , GATE-T O-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
I D = 200 mA
T J = 25 ° C
2.0
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
10
5
1.5
1.0
0.5
V GS = 4.5 V
0
0
0
1
2
3
4
5
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
1.75
V GS , GATE-T O-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On-Resistance vs. Gate Voltage
1000
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.5
1.25
I D = 200 mA
V GS = 4.5 V
100
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.0
T J = 125 ° C
0.75
0.5
0.25
0
10
1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
4
8
12
16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On-Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain-to-Source Leakage Current
vs. Voltage
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTUD3129PT5G MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963
NTUD3169CZT5G MOSFET N/P-CH 20V SOT-963
NTUD3170NZT5G MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-963
NTUD3171PZT5G MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963
NTY100N10G MOSFET N-CH 100V 123A TO-264
NTZD3152PT5G MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-563
NTZD3154NT5G MOSFET N-CHAN DUAL 20V SOT-563
NTZD3155CT2G MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT-563
相关代理商/技术参数
NTUD3129P 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET -20 V, -180 mA, Dual P-Channel, 1.0 x 1.0 mm SOT-963 Package
NTUD3129PT5G 功能描述:MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTUD3169CZ 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA / −200 mA, Complementary, 1.0 x 1.0 mm SOT−963 Package
NTUD3169CZT5G 功能描述:MOSFET 20V Mosfet Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTUD3170NZ 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA, Dual N−Channel, 1.0 mm x 1.0 mm SOT−963 Package
NTUD3170NZT5G 功能描述:MOSFET 20V Trench N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTUD3171PZ 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET −20 V, −200 mA, Dual P−Channel, 1.0 x 1.0 mm SOT−963 Package
NTUD3171PZT5G 功能描述:MOSFET 20V Trench P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube